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郝建民;
无;
氮化镓; 氮化铝; 氮化铜; 缺陷; 半导体薄膜;
机译:在氧化铁/氢氧化物催化剂存在下,用水合肼还原芳香族硝基化合物。三,芳香族偶氮化合物中硝基的选择性还原
机译:芳族硫化合物在Ti-β沸石中完全配位和缺陷位点与H 2 O 2氧化:密度函数理论的评价
机译:与常规氧化剂相比,在DNAPL掺入砂中氧化多环芳族化合物(PAHS和POIL PAC)的氧化多环芳香化合物(PAHS和POIL PAC):与常规氧化剂相比,降解效率和氧化副产物形成
机译:利用阻抗光谱法对芳族化合物-N型有机半导体薄膜的电荷传输机理分析
机译:II-VI族化合物半导体薄膜的制备和表征。
机译:醚和醇与芳族化合物和杂芳族化合物的交叉脱氢偶联和氧化胺化反应
机译:铂电极上芳香族化合物的吸附。基于氢共沉积或阳极氧化的吸附测量缺陷的对比研究
机译:用于IIIV族化合物半导体薄膜选择生长形成的掩模IIIV族化合物半导体薄膜选择生长形成的模
机译:II-VI族化合物半导体薄膜的制造方法和II-VI族化合物半导体器件
机译:制备方法应用该方法,作者获得了具有有价值特性的Erengan系列不规则和卤素类固醇。拟议的获得式I = 2t L的pregan系列卤素15甾族化合物的方法•其中Z为两个脂族,芳族或芳脂族烃残基,或基团〜.C == Z-环烷基/ /和X是氟或氯原子,其原因在于在式II的化合物中存在'dH.FCHoF20,其中RI和Rj各自为游离或醚化的:1-或为氧基或R2的醚与R2-基团2530,其中R 1和R 2具有指示的值,环氧化物裂解的卤代基奥多洛达HX,其中X具有上述含义,或使用释放该高代基奥多洛德的试剂和所得的卤素-nd德林同时或通过用氢钾钾处理而顺次脱水。
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