一种对晶圆进行缺陷扫描的分析方法及缺陷扫描设备

摘要

本发明提供了一种对晶圆进行缺陷扫描的分析方法及缺陷扫描设备，其中，包括以下步骤：以预定个数的芯片单元为单位于第一缺陷扫描图中划分多个第二缺陷扫描图，每个第二缺陷图的外围配置有相同的预定尺寸的第一切割道；在第二缺陷扫描图中分割出单个待分析芯片单元，每个待分析芯片单元包括芯片单元以及配置在芯片单元外围的相同的预定尺寸的第二切割道；去除每个待分析芯片单元的外围配置的第二切割道；将每个去除第二切割道的待分析芯片排列组合形成一不含切割道的第三缺陷扫描图以分析待分析芯片单元是否出现缺陷。其技术方案的有益效果在于，克服了现有技术中对缺陷扫面图中的芯片单元进行缺陷分析时存在的切割道中的缺陷对缺陷分析的影响。