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半导体存储器件及其布设信号和电源线的方法

摘要

本发明涉及一种使用例如同步动态随机存取存储器(SDRAM)电路的方法和利用该方法形成的器件。在一个所描述的实施例中,在SDRAM的存储阵列部件的上方淀积并依次构图三层金属层。相对较宽的电源导线被布设于第三金属层上,使得第一和第二金属层上的电源导线在尺寸上缩短或者在一些情况下可以去除。所述相对较宽的电源导线因而能够为存储阵列提供更稳定的供电,并且也能在第一和/或第二金属上空出一部分空间以用于布设附加的和/或占用更宽空间的信号线。还描述和要求了其它的实施例。

著录项

  • 公开/公告号CN100424877C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510081784.6

  • 申请日2005-06-03

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-10-08

    授权

    授权

  • 2006-03-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-01-18

    公开

    公开

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