一种MoTe_2-xO_x/MoTe₂异质结忆阻器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种MoTe_2‑xO_x/MoTe₂异质结忆阻器及其制备方法，属于半导体器件领域。包括水平忆阻器和垂直忆阻器：水平忆阻器是在基底上表面有MoTe₂膜，MoTe₂薄膜表面有至少一对金属电极，其中未被金属电极覆盖的MoTe₂膜表面部分氧化成MoTe_2‑xO_x，形成MoTe_2‑xO_x/MoTe₂异质结，或者MoTe_2‑xO_x层位于MoTe₂层表面构成异质结，金属电极位于异质结上表面；垂直忆阻器是一种“三明治”结构，在底部的导电电极层上有MoTe₂薄膜，MoTe₂薄膜表面部分氧化成MoTe_2‑xO_x，形成MoTe_2‑xO_x/MoTe₂异质结，金属电极位于MoTe_2‑xO_x/MoTe₂异质结上表面；所述x的取值范围为02‑xO_x/MoTe₂异质结的忆阻器，表现出良好的“8”字形的忆阻性能，至少可以稳定循环3000圈。