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一种纳米氧化铈形态及晶面的原位控制方法

摘要

一种纳米氧化铈形态及晶面的原位控制方法,属于稀土纳米材料技术领域。以有机醇类为分散剂,结合空化效应对纳米模板进行分散与剪切。以碱性物质为铈源沉淀剂,通过调节分散剂的粘度和表面张力,控制纳米模板的尺寸及其在反应体系中的聚集状态,使铈前驱体在纳米模板表面吸附并择优取向生长,最终调控氧化铈各个晶面的生长速度,实现对纳米尺寸范围内氧化铈形态及晶面的调控。本发明制备工艺简单,反应条件温和,反应原料易得,由于未加入任何表面活性剂,且加入的纳米模板经煅烧氧化无残留且消耗了部分氧,得到纯净氧化铈的同时可增加其氧空位浓度,应用前景广泛。

著录项

  • 公开/公告号CN106904649B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江西理工大学;

    申请/专利号CN201710133479.X

  • 申请日2017-03-08

  • 分类号C01F17/10(20200101);C01F17/235(20200101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);C30B29/16(20060101);C30B1/02(20060101);

  • 代理机构36117 南昌佳诚专利事务所;

  • 代理人吕道锋

  • 地址 341000 江西省赣州市红旗大道86号

  • 入库时间 2022-08-23 11:27:46

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