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带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法,所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底的背面有应力平衡层。探测器制备的具体步骤如下:1)淀积氮化硅刻蚀掩膜,2)台面刻蚀,3)开N槽,4)生长P电极,5)快速热退火,6)淀积氮化硅钝化膜,7)开P、N电极孔,8)生长加厚电极,9)生长应力平衡层,10)金属化并生长铟柱,11)铟柱剥离并划片。本发明的优点在于:大面阵焦平面探测器平面度好,铟柱形貌更均一,器件耦合连通率高,制备工艺更简单,器件成品率高。

著录项

  • 公开/公告号CN110444607B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;

    申请/专利号CN201910618698.6

  • 申请日2019-07-10

  • 分类号H01L31/02(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/105(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构31311 上海沪慧律师事务所;

  • 代理人郭英

  • 地址 200083 上海市虹口区玉田路500号

  • 入库时间 2022-08-23 11:27:38

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