公开/公告号CN110444607B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN201910618698.6
申请日2019-07-10
分类号H01L31/02(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/105(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构31311 上海沪慧律师事务所;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2022-08-23 11:27:38
机译: 用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层
机译: 用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层
机译: 用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层