首页> 中国专利> 基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法

基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法

摘要

本发明公开了一种基于漏磁信号的缺陷轮廓反演方法,包括:获取待求解的目标缺陷漏磁信号;通过边缘检测得到目标缺陷漏磁信号对应的缺陷开口轮廓形状;得到N个沿垂直于磁化方向排列的矩形;构成N个长方体的子缺陷;获取各子缺陷对应的缺陷漏磁信号;对各子缺陷对应的缺陷漏磁信号进行位移变换操作;得到在当前预测深度序列下的预测缺陷漏磁信号;获取预测缺陷漏磁信号与目标缺陷漏磁信号的误差,且在误差大于或等于预设阈值时,更新当前预测深度序列,并返回步骤S5继续迭代,否则停止迭代,当前预测深度序列作为最终反演的缺陷深度序列;得到最终反演的缺陷轮廓。该方法大大减少了计算时间,具有计算模型简单,计算速度快、精度高等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN108615234B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201810354589.3

  • 申请日2018-04-19

  • 分类号G06T7/00(20170101);G06T7/13(20170101);G06F30/23(20200101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张润

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2022-08-23 11:27:29

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号