在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法

摘要

本发明涉及在沟槽形成期间运用牺牲阻障层保护贯孔的方法，其中，一种方法，举例而言，包括提供中间半导体结构，其包含金属层、布置于该金属层上方的可图型化层、及布置于该可图型化层上方的硬掩模，该中间半导体结构包含穿过该硬掩模延展到该金属层上的多个贯孔，在该中间半导体结构上方及该多个贯孔中沉积牺牲阻障层，移除介于该多个贯孔间的一部分该牺牲阻障层，同时在该多个贯孔中维持一部分该牺牲阻障层，在介于该牺牲阻障层的该遭受移除部分与该多个贯孔间的该可图型化层中形成沟槽，以及将该牺牲阻障层的该剩余部分从该多个贯孔移除。