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公开/公告号CN110596011B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-29
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN201910792395.6
发明设计人 谷洪刚;宋宝坤;刘世元;郭正峰;方明胜;江浩;陈修国;
申请日2019-08-26
分类号G01N21/21(20060101);G06F17/10(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人李智;张彩锦
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 11:27:14
机译: 使用介电常数测量方法的电子部件的电特性测量方法和传输线材料的介电常数测量方法
机译: 使用传输线材料的介电常数测量方法和该介电常数测量方法的电子零件的电气质量测量方法
机译: 用于存储计划的集成电子电路具有中间层,金属化层和停止层,每层均由相应区域中的介电材料制成,其中一种材料的相对介电常数大于另一种材料的介电常数
机译:一种新的双通道测量方法,用于精确表征低介电常数和低损耗材料
机译:一种方便的微波频率下薄材料复介电常数测量方法
机译:铁磁流体渗透率/介电常数张量的测量方法
机译:一种新的低损耗材料介电常数测量方法的建议
机译:通过一次测量即可表征各向异性材料的介电张量。
机译:基于超材料的传感器的微波液体小体积介电特性测量方法
机译:微波相对复合介电能发生的测量方法,片材和板介质材料。
机译:几种张量参数的非线性张量函数及求解弹塑性问题的一种方法