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磁控溅射法制备二硼化钛/二氧化锆梯度纳米结构薄膜及其应用

摘要

本发明涉及一种TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜及其应用。它是利用磁控溅射技术,制备得到的TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜。TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜由在单晶的硅Si(100)基片上交替沉积TiB2和ZrO2层,TiB2层厚度由上到下为30+n×3nm(10>n≥0,n为正整数),ZrO2层厚度不变,为30 nm,设定10个调制周期,然后在多层膜表面溅射一层100nm厚的TiB2作为多层膜的顶层,总层厚为1‑1.3μm。随后进行600℃有氧保温30 min的高温氧化实验,探究TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜的抗氧化性变化。通过对薄膜机械性能测试得到具有高硬度、高膜基结合力、断裂韧性好、抗氧化性好的优良综合特性的TiB2/ZrO2梯度纳米结构薄膜,该薄膜在切割刀具、机械零部件和功能陶瓷技术领域中将有重要的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN110029320B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津师范大学;

    申请/专利号CN201910396554.0

  • 发明设计人 李德军;毛栋;董磊;

    申请日2019-05-14

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/06(20060101);

  • 代理机构12207 天津市杰盈专利代理有限公司;

  • 代理人朱红星

  • 地址 300387 天津市西青区宾水西道393号

  • 入库时间 2022-08-23 11:27:12

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