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用于多层光致抗蚀剂干式显影的方法和装置

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摘要

一种在等离子体加工系统中，用于在基底上蚀刻有机抗反射涂料(ARC)层的方法，包括：引入包括氨(NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-03-25

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/027 授权公告日:20081001 终止日期:20140121 申请日:20040121

专利权的终止
2008-10-01

授权

授权
2006-05-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-01-04

公开

公开

1. 用于多层光致抗蚀剂干式显影的方法和装置 [P] . 中国专利： CN100423192C . 2008.10.01
2. 光致抗蚀剂显影剂和使光致抗蚀剂显影的方法 [P] . 中国专利： CN112748647A . 2021-05-04
3. Photoresist null for dry type development possible deep ULTRAVIOLET RADIATION light of high [P] . 日本专利： JP2659055B2 . 1997-09-30

机译：适用于干式显影的光致抗蚀剂null可能产生高强度的深紫外线辐射光
4. Method and device for controlling the concentration of developer of an agent for the development is used in a dry electrophotographic [P] . 法国专利： FR2458101B1 . 1984-07-20

机译：用于控制显影剂的显影剂浓度的方法和装置用于干式电子照相中。
5. In the dry type developer for electrostatic charge image development which contains with the dry type [P] . 日本专利： JP3705036B2 . 2005-10-12

机译：在包含在干式中的用于静电荷图像显影的干式显影剂中