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具有加电读模式的非易失半导体存储器

摘要

公开了一种在加电时进行自动读操作的非易失半导体存储器。为了自动读操作,在加电时,当电源电压达到第一电压时开始产生字线电压。当字线电压被充电到所需的电压电平时,开始自动读操作。该非易失半导体存储器可以防止读取操作失败,并且能提供稳定的加电读操作。

著录项

  • 公开/公告号CN100412989C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN03119862.7

  • 发明设计人 李升根;

    申请日2003-02-02

  • 分类号G11C16/06(20060101);G11C16/26(20060101);G11C7/00(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人郭定辉

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-08-20

    授权

    授权

  • 2005-03-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-08-13

    公开

    公开

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