公开/公告号CN109451252B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201811292306.3
申请日2018-10-31
分类号H04N5/374(20110101);H04N5/3745(20110101);H04N5/378(20110101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 11:26:36
机译: 光电导电池,太赫兹波产生装置,太赫兹波检测装置,太赫兹波产生方法,太赫兹波检测方法
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器