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公开/公告号CN108519712B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-25
原文格式PDF
申请/专利权人 上海理工大学;
申请/专利号CN201810341121.0
发明设计人 李敏;李振宇;夏宇;贺明洋;袁帅;曾和平;
申请日2018-04-17
分类号G02F1/35(20060101);H01S1/02(20060101);
代理机构31204 上海德昭知识产权代理有限公司;
代理人郁旦蓉
地址 200093 上海市杨浦区军工路516号
入库时间 2022-08-23 11:26:31
机译: 以及太赫兹波检测装置及其方法,以及利用太赫兹波产生半导体晶体的太赫兹波发生器,该晶体
机译: 太赫兹波装置,利用该装置产生和检测太赫兹波的方法以及配备有该装置的成像设备
机译: 利用相位噪声补偿法产生和检测光混合型连续波太赫兹的装置
机译:使用LiNbO3通过差频产生使用II型相位匹配极化组合产生太赫兹波
机译:共线相位匹配条件下通过差频产生从平面GaP波导产生可广泛调谐的太赫兹波
机译:基于差频产生,由GaSe晶体产生1.2μm抽运的超宽带连续频率扫频太赫兹波
机译:用于相干太赫兹波的差频产生的两频MOPA二极管激光系统
机译:太赫兹本地振荡器,通过使用稳频激光器在iii-v半导体中通过产生差频来实现。
机译:基于腔内差频产生的太赫兹量子级联激光源的光谱纯度和可调谐性
机译:通过使用稳频激光器在III-V半导体中通过差频产生的太赫兹本地振荡器
机译:硅太赫兹差频 - 量子级联激光源。