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一种InP基单片集成全光模数转换器结构

摘要

本发明一种InP基单片集成全光模数转换器结构,该结构主要包括:半导体锁模激光器、电吸收调制器、1×2分束器、移相器。其中,半导体锁模激光器作为采样脉冲光源输出采样脉冲信号,电吸收调制器用于对采样脉冲信号进行强度调制,实现对模拟电信号的光采样,1×2分束器结构用于对采样脉冲信号进行分束处理,移相器结构用于引入π/2的相移。本发明可以实现有源器件和无源器件的单片集成,是实现单片集成器件批量化和产业化的理想材料。采用半导体锁模激光器作为采样脉冲光源,可以实现低至亚皮秒量级的光脉冲宽度和低至亚飞秒量级的脉冲时间抖动。

著录项

  • 公开/公告号CN107748473B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航天时代光电科技有限公司;

    申请/专利号CN201711137652.X

  • 申请日2017-11-16

  • 分类号G02F7/00(20060101);

  • 代理机构11009 中国航天科技专利中心;

  • 代理人张晓飞

  • 地址 100094 北京市海淀区丰滢东路1号

  • 入库时间 2022-08-23 11:25:33

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