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公开/公告号CN107748473B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-18
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航天时代光电科技有限公司;
申请/专利号CN201711137652.X
发明设计人 郭菲;夏君磊;刘瑞丹;郑国康;黄韬;丁东发;
申请日2017-11-16
分类号G02F7/00(20060101);
代理机构11009 中国航天科技专利中心;
代理人张晓飞
地址 100094 北京市海淀区丰滢东路1号
入库时间 2022-08-23 11:25:33
机译: InP基层中的Al尖峰作为阻挡InP基结构中锌扩散的屏障
机译: 一种用于制造具有光电组件的单片集成结构的方法以及在这种结构中生产的结构
机译:多端口InP单片集成全光波长路由器
机译:InP中的可调谐单片集成全光波长转换器
机译:使用非线性光子晶体基环谐振器的5位全光学模数转换器的提案
机译:用于全光学计算的无损单片集成光子InP神经元
机译:一种生产结构等效的石墨增强水泥基复合材料的方法。
机译:第一种含13-环己二双(甲基)的氧阴离子盐的晶体结构Hirshfeld表面分析和能量构架计算:3-(氮杂基甲基基)环己基二硝酸二甲基铵
机译:通过MPW技术制造的InP单片集成芯片上的40 Gb / s全光单播和多播波长转换器阵列
机译:具有单片集成双焦微透镜的GaInasp / Inp埋 - 异质结构表面发射二极管激光器