沟槽电容器和用于制造沟槽电容器的方法

摘要

用于制造沟槽电容器（2）的方法，所述方法具有如下步骤：提供衬底（200），所述衬底具有正面（201）和背面（202）；在所述衬底（200）的正面（201）上产生具有沟槽（210）的沟槽结构；在所述衬底（200）的背面（202）上施加结构（240）；在所述衬底（200）的正面（201）上并且在所述衬底（200）的沟槽（210）中沉积绝缘介电层（220）；将第一电极（230）施加到沉积在所述衬底（200）的正面（201）上并且沉积在沟槽结构（210）中的绝缘介电层（220）上；将第二电极（250）施加到所述衬底（200）的配备有所述结构（240）的背面（202）上，其中所述结构（240）具有缺口（245），使得所述第二电极（250）在所述缺口（245）的区域内接触所述衬底（200）的背面（202），以及半导体‑沟槽‑电容器（2）。