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公开/公告号CN110138367B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;
申请/专利号CN201910406222.6
发明设计人 祝靖;杨柏炜;余思远;陆扬扬;孙伟锋;陆生礼;时龙兴;
申请日2019-05-16
分类号H03K17/081(20060101);H03K17/687(20060101);
代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人熊玉玮
地址 210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号
入库时间 2022-08-23 11:24:49
机译: 用于减少功率装置反向恢复电流的栅极驱动电路
机译: 通过降低栅极-源极电压来降低功率MOS器件的自然电流限制
机译:导通态栅极偏置引起p-GaN栅极AlGaN / GaN功率器件泄漏电流增加的机理
机译:利用电流旁路电路降低大功率LED驱动电路损耗的研究
机译:用于移相全桥转换器的具有降低的栅极驱动损耗的简单SR栅极驱动电路
机译:电流注入栅极驱动电路,用于控制具有高电流额定值的低压功率MOSFET的关断特性
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:串联堆栈中的栅极截止(GTO)器件的栅极驱动电路
机译:用于串联堆叠的栅极关断(GTO)器件的栅极驱动电路