首页> 中国专利> 高频用磁性薄膜、复合磁性薄膜和利用这些磁性薄膜的磁性元件

高频用磁性薄膜、复合磁性薄膜和利用这些磁性薄膜的磁性元件

摘要

通过组合由T-L组合物(其中,T=Fe或FeCo,L是从C、B和N中选择的至少1种元素)构成的T-L组合物层5、和配置在该T-L组合物层5的任一面侧的Co系非晶质合金层3,可得到兼有高导磁率和高饱和磁化的高频用磁性薄膜1。而且除T-L组合物层5和Co系非晶质合金层3以外,通过进一步配置比T-L组合物层5和Co系非晶质合金层3表现出更高电阻的高电阻层7,就可以得到兼有高导磁率和高饱和磁化、同时表现出高比电阻的高频用磁性薄膜1。

著录项

  • 公开/公告号CN100407342C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK株式会社;

    申请/专利号CN200380105039.X

  • 发明设计人 崔京九;村濑琢;

    申请日2003-12-22

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人陈建全

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-02-17

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2008-07-30

    授权

    授权

  • 2006-03-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-01-11

    公开

    公开

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