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公开/公告号CN107541705B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-04
原文格式PDF
申请/专利权人 威科仪器有限公司;
申请/专利号CN201710495599.4
发明设计人 波里斯·L·宙斯;维克多·卡纳罗;尤里·尼古拉·叶夫图霍夫;山迪普·柯里;方兴杰;
申请日2017-06-26
分类号C23C14/32(20060101);C23C14/06(20060101);H05H1/34(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国纽约州
入库时间 2022-08-23 11:24:07
机译: 用于电弧等离子体沉积的增强型阴极弧源
机译: 电弧等离子体沉积的改良阴极弧源
机译:阴极阴极电弧等离子体系统沉积的a-C:N薄膜的阴极发光
机译:Ti靶电弧电流对双靶阴极电弧等离子体沉积制备Ti掺杂ZnO薄膜性能的影响
机译:使用Al-15 at。%Si阴极的阴极电弧等离子体沉积的TiAlSiN薄膜
机译:过滤式高电流脉冲阴极真空电弧等离子体源的表征:等离子体输送分析
机译:电弧电弧等离子体中的激光多普勒风速测定
机译:阴极电弧等离子体处理的钛增强人骨髓间充质干细胞功能
机译:A-C:由双阴极滤波的阴极电弧等离子体沉积产生的Mo膜的电气性能
机译:等离子体源离子注入金属离子:阴极电弧等离子体产生和目标偏置脉冲的同步