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公开/公告号CN110320663B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-01
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN201910212740.4
发明设计人 尤国庆;郜定山;
申请日2019-03-20
分类号G02B27/00(20060101);G02B6/12(20060101);
代理机构11570 北京众达德权知识产权代理有限公司;
代理人刘杰
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 11:23:52
机译: 高容量分形卫星(HTFS)的系统和过程,用于使用小尺寸或小尺寸尺寸直接连接到最终用户单元和终端以及与之连接
机译: 用作日光偏转系统的定日镜,具有特定尺寸的反射镜,转子和两轴或三轴,以高对准精度和小尺寸进行跟踪,小尺寸的控制单元直接集成在工厂中
机译: 基于聚氨酯的化学强化二元尺寸,基于聚氨酯的可硬化尺寸的生产方法以及基于聚氨酯的两种成分的混合物的使用
机译:基于纳米粒子的超小Fe 3 sub> O 4 sub> @ polymer-NPO / PEG-Glc @ Ce6纳米探针的体内 i>高效靶向光动力疗法小尺寸效果
机译:直接在Si(0 0 1)衬底上生长的超小尺寸Ge量子点的形貌和光致发光
机译:直接搜索算法设计衍射光学元件的新方法
机译:超超大双模分隔器基于由人工神经网络辅助的直接二进制搜索算法设计的马赛克结构
机译:基于可能性的推理方法测试效果规模尺寸措施,具有双边结果的分层相关二元数据
机译:实现超小尺寸的直接外延方法和超高亮度InGaN微型发光二极管(μLED)
机译:基于小尺寸效应的超小Fe3O4 @聚合物-NPO / PEG-Glc @ Ce6纳米探针的体内高效靶向光动力疗法
机译:一种新的小尺寸光刻方法。直接步进和重复技术(硅中继器)