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一种基于光自旋霍尔效应的磁性测量方法

摘要

本发明公开了一种基于光自旋霍尔效应的磁性测量方法,从偏振态制备器出来偏振光经待测样品表面反射时发生光自旋霍尔效应,左、右旋圆偏振分量沿垂直于入射面的方向产生相反的移动,该位移对界面样品磁性参数和外加磁场异常敏感。向待测磁性样品施加外磁场时,随着外加磁场强度的变化,光斑质心将发生微小位移的变化,通过量子弱测量技术精确测量这一位移信号,实现对材料磁化性能的高精度和高灵敏的测量。

著录项

  • 公开/公告号CN110412490B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN201910751927.1

  • 发明设计人 李彤;张志友;余天;王琦;

    申请日2019-08-15

  • 分类号G01R33/10(20060101);G01R33/032(20060101);G01R33/07(20060101);

  • 代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;

  • 代理人郭萍

  • 地址 610065 四川省成都市一环路南一段24号

  • 入库时间 2022-08-23 11:22:52

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