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硅化处理过程中有选择地清除层的清洗液及方法

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摘要

一种有选择地清除氮化钛层和未反应金属层的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化剂。清洗液还可以有效地清除光阻层和有机物。而且，清洗液可以在钨栅极技术中使用，该技术能改进器件工作特性，因此已经被重视。

公开/公告号CN100407375C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-07-30

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申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN200310119797.9
发明设计人金相溶;李根泽;
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申请日2003-12-05
分类号H01L21/28(20060101);H01L21/306(20060101);H01L21/44(20060101);H01L21/465(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人谢丽娜;谷惠敏
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:01:02

1. 硅化处理过程中有选择地清除层的清洗液及方法 [P] . 中国专利： CN100407375C . 2008.07.30
2. 金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法 [P] . 中国专利： CN100373587C . 2008.03.05
3. METHOD FOR INCREASING ETCHING SELECTION RATIO OF METAL SILICIDE LAYER ABOUT POLYSILICON LAYER AND METHOD FOR ETCHING A STACKED LAYER OF THE POLYSILICON LAYER AND THE METAL SILICIDE LAYER [P] . 韩国专利： KR20010009811A . 2001-02-05

机译：增加关于多晶硅层的金属硅化物层的蚀刻选择比的方法以及用于蚀刻多晶硅层和金属硅化物层的堆叠层的方法
4. Method of forming a capacitor container electrode and method of patterning a metal layer by selectively silicizing the electrode or metal layer and removing the silicized portion [P] . 美国专利： US6521472B2 . 2003-02-18

机译：通过选择性地使电极或金属层硅化并去除硅化的部分来形成电容器容器电极的方法和对金属层进行构图的方法
5. Method of forming a capacitor container electrode and method of patterning a metal layer by selectively silicizing the electrode or metal layer and removing the silicized portion [P] . 美国专利： US6372574B1 . 2002-04-16

机译：通过选择性地使电极或金属层硅化并去除硅化的部分来形成电容器容器电极的方法和对金属层进行构图的方法