磁性原子掺杂的超晶格GeTe/Sb₂Te_3n材料及其相应调控方法

摘要

本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb₂Te₃]_n材料及其相应调控方法，其中该材料掺杂有磁性原子；掺杂前的初始超晶格[GeTe/Sb₂Te₃]_n材料其结构具有拓扑绝缘性；掺杂磁性原子后，拓扑绝缘性受磁性原子的调控，初始超晶格[GeTe/Sb₂Te₃]_n材料具备的时间反演对称性被破坏，并且磁性原子与其邻近的超晶格[GeTe/Sb₂Te₃]_n材料中的原子产生轨道杂化作用，使得掺杂后的超晶格[GeTe/Sb₂Te₃]_n材料自旋向上及自旋向下方向上的态密度同时出现不对称效应，并产生诱导磁矩。本发明通过对关键掺杂元素的具体种类等进行改进，与现有技术相比能够有效解决拓扑绝缘体表面态狄拉克锥调控不易、狄拉克点无法被打开等问题。