公开/公告号CN110752095B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-10
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆大学;
申请/专利号CN201911116535.4
申请日2019-11-15
分类号H01G11/24(20130101);H01G11/40(20130101);H01G11/46(20130101);H01G11/86(20130101);
代理机构50240 重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙);
代理人谭春艳
地址 400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
入库时间 2022-08-23 11:21:02
机译: 通过金属氧化物纳米晶体沉积和选择性晶体生长在化学和生物微系统以及电子发射源应用中在基底上合成金属碳化物纳米棒
机译: 碳纳米管阵列中金属氧化物原位合成的方法和装置
机译: 在制造微电子半导体元件例如硅的过程中使用的硅衬底上的层上的图案的方法。动态RAM,涉及应用由金属氧化物,金属氮化物,金属碳化物和金属硅酸盐形成的硬掩模