In³⁺、Ga³⁺复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及制备方法

摘要

本发明公开了一种In³⁺、Ga³⁺复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷及其制备方法，包括有基料和掺杂料，所述基料按重量份计包括有ZnO：87‑95份、Bi₂O₃：2.0‑4.0份、MnO₂：0.4‑0.7份、Sb₂O₃：1.5‑3.5份、Co₂O₃：0.5‑1.5份、Cr₂O₃：0.2‑1.0份、籽晶掺杂料：1‑5份；所述籽晶掺杂料为ZnO、Ga₂O₃和In₂O₃，其质量分数比为ZnO：Ga₂O₃：In₂O₃＝90‑95：0.1‑5：0.1‑5。本发明In³⁺、Ga³⁺复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷具有既能降低ZnO晶粒电阻率，又能控制ZnO晶格畸变的特点，最终达到ZnO压敏电阻残压低、老化寿命长、脉冲电流耐受强的特点。