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公开/公告号CN110164962B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201910430622.0
发明设计人 冯倩;张涛;张进成;周弘;张春福;胡壮壮;封兆青;蔡云匆;
申请日2019-05-22
分类号H01L29/40(20060101);H01L29/872(20060101);H01L21/34(20060101);
代理机构61205 陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
入库时间 2022-08-23 11:20:22
机译: 肖特基二极管具有高击穿电压和使用双P型外延层的浪涌电流能力
机译: 具有高击穿电压能力的横向肖特基二极管
机译: 具有高击穿电压和浪涌电流能力的双p型外延层的肖特基二极管
机译:用MG补偿漂移层的独立GaN肖特基屏障二极管改进垂直GaN肖特基屏障二极管的击穿电压
机译:通过选择性区域生长制备具有高击穿电压的GaN微柱肖特基二极管
机译:具有增强的击穿电压和高开关性能的垂直β-Ga_2O_3肖特基势垒二极管
机译:高击穿电压开发4H-SiC肖特基PN二极管
机译:用于高功率RF接收器保护器的金刚石肖特基P-I-N二极管
机译:GaN-on-GaN肖特基二极管的低压高能量α粒子探测器具有创纪录的高电荷收集效率
机译:使用高斯型材的3C-SiC肖特基势垒二极管在200μm厚晶片中分析了3C-SiC肖特基势垒二极管的冲击式击穿电压
机译:用于最终X射线检测的Gaas高击穿电压正面和背面处理肖特基检测器;