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一种单分散空心纳米硅/碳球及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种单分散空心纳米硅/碳球的制备方法,具体为:先用液相法制备单分散的纳米SiO2球,再用镁热还原反应将单分散的纳米SiO2球还原为单分散的纳米Si球,然后在其表面相继包覆SiO2层和酚醛树脂层,最后通过热解和酸刻蚀处理得到单分散空心纳米硅/碳球。其工艺和产物的形貌可以得到控制,空心结构和表面碳包覆有利于缓冲体积膨胀,纳米结构和单分散性有利于材料电化学活性的提高,因此所得产物具有高的容量和循环性能。

著录项

  • 公开/公告号CN108172787B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN201711416455.1

  • 申请日2017-12-25

  • 分类号H01M4/36(20060101);H01M4/38(20060101);H01M4/62(20060101);H01M10/0525(20100101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构33224 杭州天勤知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱朦琪

  • 地址 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 11:19:18

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