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基于硒化钼双光子吸收的集成光学自相关仪及测量方法

摘要

一种基于硒化钼双光子吸收的集成光学自相关仪及测量方法,集成光学自相关仪包括基片、输入波导、分路器、连接波导、固定延时器、可调延时器、可调延时器接口、第一连接器、合路器、输出波导、硒化钼薄膜、片上电极、第二连接器和控制器。本发明利用硒化钼材料的双光子吸收特性,通过简单的结构,就可以实现片上集成光学自相关仪,实现对片上脉冲宽度的测量。

著录项

  • 公开/公告号CN109883557B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN201910148568.0

  • 发明设计人 吴侃;邹卫文;李杏;陈建平;

    申请日2019-02-28

  • 分类号G01J11/00(20060101);

  • 代理机构31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张宁展

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 11:17:23

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