瞬变电压抑制二极管的制备方法和瞬变电压抑制二极管

摘要

本发明提供了一种瞬变电压抑制二极管的制备方法和瞬变电压抑制二极管，上述制备方法包括：在N型衬底上形成P型外延层，以完成光电二极管的制备；在所述P型外延层上形成隔离槽，以每个所述隔离槽划分所述光电二极管为两个光电二极管单元；在所述光电二极管单元的P型外延层中，依次形成P型注入区域和N型注入区域，以形成与每个所述光电二极管串联连接的齐纳二极管；在形成所述齐纳二极管的N型衬底上，形成正面金属电极和背面金属电极。通过本发明的技术方案，改善了半导体器件的反向特性，降低了电压浪涌对集成电路的影响程度，减小了附加电容，同时提高了半导体器件的集成化和可靠性。