抗干扰性能的电化学晶体管传感器及其抗干扰方法、应用

摘要

本发明涉及提高电化学晶体管传感器的抗干扰性能的方法，所述电化学晶体管传感器包括源极、漏极和栅极，源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，其特征在于在沟道上设有Nafion薄膜保护层和/或聚糖薄膜保护层，或者在栅极外面套设下端带有微孔陶瓷的砂芯玻璃管，将沟道或栅极分离以屏蔽电化学晶体管传感器对干扰物质的响应。本发明涉及的电化学晶体管传感器的优化方法具有在不影响器件对待测物质的响应的同时屏蔽掉干扰物质的响应的特点。