辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法

摘要

本发明提供了一种辐照底层器件获取电子系统单粒子效应敏感性的评价方法，充分考虑到电子系统与底层器件失效判据不同的实际状况，通过逐一辐照电子系统中底层器件并进行概率合成以评价整个电子系统单粒子效应敏感性，解决了现有系统级单粒子效应敏感性评价方法未考虑底层器件与电子系统明显失效判据不同以及单粒子防护措施多样性的技术问题。