隧道场效应晶体管及其制造方法

摘要

根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）与迄今为止的现有技术相比尤其是具有两个优点。首先，提供了缩短的隧道势垒，并且由此提供了缩短的隧道结。这通过如下方式来实现：在源极区域中，一方面设置硅化并且此外设置掺杂物分离，它们导致更陡峭的隧道边沿。另一方面，通过选择性和自调校的硅化，隧道面积自身扩大，其中在根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）中设置与栅极的电场线平行延伸的隧道结。根据本发明的隧道场效应晶体管（TFET）因此将与栅极的电场线平行的隧道结与栅极之下的经扩大的隧道区域相连接，所述隧道区域具有拥有较窄带隙的材料。根据本发明的用于制造TFET的方法包括选择性的自调校的硅化并且此外包括掺杂物分离。通过这些步骤可以精确到几纳米地可再现地制造隧道结。