半导体晶片的单片式单面研磨方法及半导体晶片的单片式单面研磨装置

摘要

本发明提供一种能够提高半导体晶片的平坦度，并且抑制平坦度的偏差的单片式单面研磨方法及单片式单面研磨装置。本发明的半导体晶片的单片式单面研磨方法的特征在于，包括：研磨工序，对半导体晶片(1)进行研磨；及重新把持工序，将半导体晶片(1)从平台(140)输送至该平台外的托盘(190)上，并使半导体晶片(1)及研磨头(120)的相对位置沿研磨头(120)的旋转方向移动，然后把持半导体晶片(1)；进行多次所述研磨工序，并在这些多次的研磨工序之间的间隙，进行至少一次以上所述重新把持工序。