减小晶体对光强度曝光的损伤效应的敏感性的方法

摘要

本发明涉及一种用于减小具有非线性光学性能的晶体的敏感性方法，尤其是铌酸锂或钽酸锂防止曝光行为的损伤(光学损伤)。而光感应引起的折射率变化也会产生类似的损伤。通过使用外部的离子掺杂可提高晶体的暗导电率。