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公开/公告号CN105679474B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-02
原文格式PDF
申请/专利权人 韦沙戴尔电子公司;
申请/专利号CN201610094458.7
发明设计人 C·L·史密斯;T·L·伯奇;T·L·怀亚特;T·L·韦克;
申请日2010-09-02
分类号H01C1/148(20060101);H01C7/06(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈松涛;夏青
地址 美国内布拉斯加
入库时间 2022-08-23 11:15:37
机译: 具有电阻温度系数(TCR)补偿功能的电阻器/动作
机译: “具有电阻温度系数(tcr)补偿的电阻器”
机译:聚合物厚膜电阻器的电阻温度系数(TCR)的研究
机译:NiCr薄膜电阻器的热应变和电阻温度系数(TCR)特性
机译:NICR薄膜电阻器中的热失真和电阻温度系数(TCR)特性
机译:电阻温度系数(TCR)测量方法评价CMOS技术的金属过程
机译:具有数字阈值决策技术的CDR和具有周期误差补偿环路的循环参考注入DLL倍频器。
机译:T细胞受体(TCR)信号在未成熟的CD4 + CD8 +胸腺细胞中诱导的早期分子事件:TCR-α蛋白合成的增加是对TCR信号的早期反应补偿了TCR-α的不稳定性改善了TCR组装并与其他阳性指标平行选择
机译:电阻温度系数可调节的NiCr电阻器的反应溅射
机译:退火温度对直流溅射Cr-si薄膜电阻器TCR和电阻值的影响,