一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法

摘要

本发明涉及一种低温等离子体技术制备氧缺陷型钨酸铋光电极的方法，具体步骤为：通过水热法在FTO导电玻璃表面生长WO₃纳米板，以WO₃薄膜为牺牲模板，滴加硝酸铋的水溶液，干燥，高温煅烧，WO₃和硝酸铋发生固相反应，制备出高结晶性的钨酸铋纳米片；后以空气、氧气、氮气或者氢气为反应性气体，采用低温等离子体技术对钨酸铋薄膜表面进行处理，通过等离子体的自由基引发钨酸铋薄膜表面的化学反应，在钨酸铋薄膜表面引入氧空位。本发明制备的氧缺陷型钨酸铋薄膜亲水性好，电导率高，界面电荷转移快，有效提升了水分解的氧化电流。低温等离子体技术处理钨酸铋薄膜工艺简单，时间短，能耗低，环境友好，适于大规模处理半导体光电极。