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一种层溶液法生长钙钛矿单晶的方法

摘要

本发明提供了一种层溶液法生长钙钛矿单晶的方法,属于钙钛矿材料单晶技术领域。本发明通过在溶液A和溶液B之间加入溶液A或溶液B的冰冻层,可以减缓溶液A层与溶液B层的混合速率,且两层溶液反应放出的热量会被冰冻层所抵消,从而使得两层溶液之间的反应更加平缓,使晶体成核与生长过程更加平稳,静置培养后所得钙钛矿单晶尺寸大、质量高、单晶晶体表面更加平整。且本发明提供的方法操作简单、不需要精密的生长设备、对实验环境要求低、成本低廉,对于单晶的制备具有更广的普适性。实施例结果表明,使用本发明方法得到的钙钛矿单晶长度可达0.5~2cm,晶体结晶度良好。

著录项

  • 公开/公告号CN110195252B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;

    申请/专利号CN201910614086.X

  • 申请日2019-07-09

  • 分类号C30B7/14(20060101);C30B29/12(20060101);

  • 代理机构11569 北京高沃律师事务所;

  • 代理人刘潇

  • 地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘湘潭大学

  • 入库时间 2022-08-23 11:15:33

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