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公开/公告号CN110195252B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 湘潭大学;
申请/专利号CN201910614086.X
发明设计人 钟向丽;吴祎玮;王金斌;晏翀恺;方苗苗;李勃超;李小磊;郭科鑫;单心怡;
申请日2019-07-09
分类号C30B7/14(20060101);C30B29/12(20060101);
代理机构11569 北京高沃律师事务所;
代理人刘潇
地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘湘潭大学
入库时间 2022-08-23 11:15:33
机译: 钙钛矿模或Bi分层钙钛矿模氧化物薄膜形成的原料溶液,钙钛矿模或钙钛矿模或Bi复层钙钛矿模氧化物薄膜的形成方法,Bi分层钙钛矿模氧化物不存在
机译: 用于生长用于HTSC /钙钛矿氧化物器件和微波器件结构的外延HTSC /钙钛矿氧化物膜的A.sub.4 MeSb.sub.3 O12衬底和介电/缓冲层
机译: 钙钛矿光敏层的制备方法以及由此构成的钙钛矿光敏层的钙钛矿太阳能电池
机译:通过种子溶液法生长用于光电探测器的厘米级2D钙钛矿(PEA)2PbBr4单晶板
机译:一种用于扩散便利空间限制生长钙钛矿单晶光电薄膜的一般湿式转移方法
机译:一种新的氮气辅助方法,用于倒平面杂交杂交钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿活性层优化
机译:钛酸钡基钙钛矿单晶的模板化晶粒生长。
机译:电子传输层上全无机钙钛矿单晶阵列的原位生长
机译:YBA2CU3O7纹理超导层的生长钙钛矿型单晶
机译:用固态单晶生长(ssCG)技术开发n型和p型掺杂钙钛矿单晶。