基于氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物与其在有机场效应晶体管中的应用

摘要

本发明公开了一种基于氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物与其在有机场效应晶体管中的应用。所述基于氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物结构式如式Ⅰ所示。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，产率高宜于大规模合成。以本发明的基于新型氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为0.37cm²V^‑1s^‑1，开关比均大于10⁵。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。