物理量测定装置及其制造方法、以及物理量测定元件

摘要

提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第一接合层(21)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第二接合层(22)的软化点为第一接合层(21)的软化点以下。