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一种P25负载分子态钴/镍等活性位点材料的制备方法

摘要

本发明的目的是提供一种在二氧化钛表面修饰分子态钴/镍活性位点,主要以P25为半导体基底,在湿法化学方法下以EDTA‑过渡金属配合物为前驱体,经过焙烧处理得到表面均匀分布的钴/镍分子态活性中心。本方法生产工艺简单,绿色环保,前驱体廉价,并且所得的修饰后的P25具备高效的光催化性能,相比其他金属盐前驱体,本方法首次提出EDTA‑过渡金属配合物这种鳌合物的优异功能。对于催化领域具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN107552053B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华北电力大学;

    申请/专利号CN201710939183.7

  • 发明设计人 赵桂霞;王祥学;文涛;王祥科;

    申请日2017-09-30

  • 分类号B01J23/75(20060101);B01J23/755(20060101);

  • 代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人张文宝

  • 地址 102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:14:30

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