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用于纳米银导电膜的蚀刻液及图案化纳米银导电膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种用于纳米银导电膜的蚀刻液,包括:蚀刻剂1‑30份、溶剂70‑90份、添加剂0‑10份,所述蚀刻剂为常温下对银不具备直接氧化性且能与银离子络合的蚀刻剂;因此蚀刻液只是将蚀刻区的导电网络切断,并非大面积蚀刻掉,降低蚀刻痕的同时使得刻蚀区域的纳米银导电膜的导电作用消失,蚀刻区与非蚀刻区的形貌差异较小,从而光学特性基本一致。

著录项

  • 公开/公告号CN107557787B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州诺菲纳米科技有限公司;

    申请/专利号CN201710708988.0

  • 发明设计人 翟峰;孟祥浩;顾杨;潘克菲;姜锴;

    申请日2017-08-17

  • 分类号C23F1/30(20060101);C23F1/02(20060101);

  • 代理机构32235 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人杨林洁

  • 地址 215300 江苏省苏州市工业园区杏林街78号新兴产业工业坊5号厂房1楼B单元

  • 入库时间 2022-08-23 11:13:47

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