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高性能和大容量储存重复删除中的数据完整性和损耗电阻

摘要

一种利用重复删除过程的存储系统可以包括:控制器、储存介质以及包括元数据日志和元数据高速缓冲存储器的非易失性RAM,元数据高速缓冲存储器包括地址表和辨别表,以及元数据日志包括多个事务,所述多个事务指示事务是否被成功写入储存介质中。

著录项

  • 公开/公告号CN105843551B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;

    申请/专利号CN201610065709.9

  • 申请日2016-01-29

  • 分类号G06F3/06(20060101);

  • 代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李少丹;许伟群

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 11:13:41

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