法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-01-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20080709 终止日期:20121117 申请日:20051117
专利权的终止
2011-12-14
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 合同备案号:2011990000989 让与人:淮阴师范学院|上海蓝宝光电材料有限公司 受让人:上海永胜半导体设备有限公司 发明名称:一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法 公开日:20060712 授权公告日:20080709 许可种类:独占许可 备案日期:20111021 申请日:20051117
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2011-01-05
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更前: 变更后: 申请日:20051117
著录事项变更
2008-07-09
授权
授权
2006-09-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-07-12
公开
公开
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机译: 氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
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