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桥接式微纳结构传感单元的阵列传感器的制备方法及产品

摘要

本发明属于微纳传感器制备领域,并具体公开了一种桥接式微纳结构传感单元的阵列传感器的制备方法及产品。所述方法包括:在基底表面制备多对需要桥接的指定形状的电极阵列,然后制备一层指定形状和厚度的种子层,接着在种子层表面外周除了桥接面制备一层钝化保护层,并对种子层进行热处理,以改善种子层的结晶性,最后采用溶液法定向生长微纳结构,使得多对所述电极阵列实现桥接。所述产品包括基底、电极阵列、种子层、钝化保护层以及微纳结构,微纳结构生长于种子层未覆盖钝化保护层的一面上,从而实现该对电极阵列的桥接。本发明制备的传感器具有灵敏度高、故障容差性强的特点,大幅度降低了传统桥接式微纳结构传感器敏感层之间的结电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN110702753B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201911034800.4

  • 申请日2019-10-29

  • 分类号G01N27/30(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人李智

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 11:13:14

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