DRAM电路、冗余重写电路及重写方法

摘要

一种DRAM电路，包括一具有一正常字元线、一第一冗余字元线及一第二冗余字元线直接相邻于该第一冗余字元线之阵列。若该正常字元线是经，该DRAM电路外部之一存储器控制器，指派成要被启动，则该第二冗余字元线被启动。一冗余重写电路是用以响应于该第二冗余字元线被启动来判定该第一冗余字元线需要被重写，以及一列解码器是用以，根据该冗余重写电路之该判定，来重写该第一冗余字元线。