首页> 中国专利> 超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法

超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法

摘要

一种超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法,包括以下步骤:选择基板衬底,清洗基板衬底,抽真空,加热基板衬底,通入氩气和氢气的混合气体,将乙硼烷引入沉积室内,加热基板衬底至400℃以上,使单质B沉积到基板上生成无定形B薄膜,降温至常温,将B薄膜基板和高纯镁颗粒放入密闭坩埚内,在高纯氩气下退火10min,在退火过程中,以20℃/min的速度升温至800‑1000℃,然后保温30‑40min,自然降温至室温。该制备方法所制备的MgB2超导体致密度高、纯度高,同时步骤简单,易于操作,成本低,不污染环境,实用价值高。

著录项

  • 公开/公告号CN108930027B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡众创未来科技应用有限公司;

    申请/专利号CN201810654722.7

  • 发明设计人 王鹏飞;钱娟;褚繁;

    申请日2018-06-22

  • 分类号C23C16/38(20060101);

  • 代理机构44497 广州市百拓共享专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人卢刚

  • 地址 214100 江苏省无锡市锡山经济技术开发区凤威路2号

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:14

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号