Cu-In-Ga-Se化合物旋转靶材的制备方法

摘要

本发明公开了一种Cu‑In‑Ga‑Se化合物旋转靶材的制备方法，包括：将无磁管件作为基体，制备Cu‑In‑Ga‑Se粉体，其中，Cu‑In‑Ga‑Se粉体中铜、铟、镓、硒的摩尔比为1:(0.3～2):(0.1～1):(1～3)；利用超音速冷喷涂技术将Cu‑In‑Ga‑Se粉体在预处理后的基体外表面喷涂、沉积层厚度不超过20mm，利用冷等静压技术进一步提高密度；通过高温烧结获取相应组织结构的旋转靶材毛坯，对旋转靶材毛坯进行处理后得到旋转靶材。本发明得到的Cu‑In‑Ga‑Se材料的内部密度均匀，有利于良好镀膜的形成，减少太阳能产品的次品率。