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基于口径场反演的共形阵列低副瓣方向图综合方法及系统

摘要

本发明公开了基于口径场反演的共形阵列低副瓣方向图综合方法及系统,属于微波技术领域,包括以下步骤:S1:口径场反演;S2:单元幅相补偿;S3:加权幅度优化;S4:合成远场方向图。在所述步骤S1和S4中,获取共形阵列天线平面进场数据与合成远场方向图所采用的方法均为分时数据合成的共形阵列测试方法。本发明适用于任意曲面共形阵列天线,大幅度提高了共形阵列天线低副瓣方向图综合效率,为共形阵列天线低副瓣方向图综合提供新途径,并且口径场反演将共形阵列优化转化为平面阵列优化,避免了交叉极化和相位中心不共面的繁琐求解过程,值得被推广使用。

著录项

  • 公开/公告号CN110600890B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201910784566.0

  • 申请日2019-08-23

  • 分类号H01Q21/00(20060101);

  • 代理机构34153 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王林

  • 地址 230000 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号

  • 入库时间 2022-08-23 11:11:56

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