制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法

摘要

本发明提出了一种制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法，是在溶液中，用温度控制生成的ZnO晶粒大小，以直径为几十纳米的单分散ZnO晶粒为种子，通过化学反应在其上外延地生长Zn_1-xTM_xO，使得磁性金属离子均匀掺杂到纤锌矿结构的ZnO晶格中去，从而形成ZnO基稀磁半导体纳米棒的材料。本发明通过控制反应剂的配比，在一定范围内可控制ZnO晶体中掺杂离子的浓度；通过控制反应温度来控制生成纳米棒的形貌和结构，使之具有与稀磁半导体相关的物理性能。该方法具有制备成本低，操作简便易行，可重复性高等优点。