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一种基于全相位预处理的MVDR波束形成方法

摘要

本发明公开了一种基于全相位预处理的MVDR波束形成方法,包括:根据线列阵接收数据中信号和噪声相关性的差异,将线列阵中2N‑1个阵元接收数据通过全相位预处理转变为N个阵元数据;然后对N个阵元数据进行处理,得到基于全相位预处理的MVDR波束输出。本发明方法对线列阵接收数据进行了全相位预处理,有效提高线列阵接收数据协方差矩阵中信号含有量和信噪比,降低了背景噪声和旁瓣级对MVDR波束形成检测弱目标带来的影响,提高了MVDR波束形成对弱目标检测的检测效果。

著录项

  • 公开/公告号CN110018465B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院声学研究所;

    申请/专利号CN201810018101.X

  • 发明设计人 郑恩明;陈新华;李媛;宋春楠;

    申请日2018-01-09

  • 分类号G01S7/537(20060101);G01S15/88(20060101);

  • 代理机构11472 北京方安思达知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈琳琳;张红生

  • 地址 100190 北京市海淀区北四环西路21号

  • 入库时间 2022-08-23 11:11:15

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